Superficies y vacío (371 documentos)


341.-
342.-
343.-
Calorimetrtía diferencial de barrido y rayos -x del almidón obtenido por nixtamalización fraccionada
Rodríguez, P1; San Martín, M.E; González de la Cruz, G2
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, México, Distrito Federal. México; 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 61-65]

344.-
345.-
346.-
347.-
Er-doped CdS thin films: electrical characterization
Rubín Falfán, M1; Lozada Morales, R2; Rivera Márquez, J.A; Palomino Merino, M.R; Protillo Moreno, O3; Dávila Pintle, J.A4; Zelaya Angel, O5
1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias de la Computación, Puebla. México; 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Puebla. México; 3Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias Químicas, Puebla. México; 4Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias de la Electrónica, Puebla. México; 5Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 130-133]

348.-
349.-
350.-
Fabrication and characterization of sulfur doped zinc thin films
Cruz Vázquez, C1; Bernal, R2
1Universidad de Sonora, Departamento de Investigación en Polímeros y Materiales, Hermosillo, Sonora. México; 2Universidad de Sonora, Centro de Investigación en Física, Hermosillo, Sonora. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 89-91]

351.-
GaN growth on (111) very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
Tamura, Masao1; Tokuo Yodo2
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México; 2Osaka Institute of Technology, Asahi-ku, Osaka. Japón
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 80-88]

352.-
Grown of InTe films by close spaced vapor transport
Zapata Torres, M1; Mascarenhas, Y.P2; Castro Rodríguez, R3; Meléndez Lira, M; Calzadilla, O4
1Instituto Politécnico Nacional, Altamira, Tamaulipas. México; 2Universidade de Sao Paulo, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México; 4Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 69-71]

353.-
Growth of thick epitaxial InAs layers by CSVT
Hinojosa, R1; Huerta, R; Mimila Arroyo, J
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 52-53]

354.-
355.-
356.-
357.-
358.-
MgB2 superconducting films prepared by e-beam evaporation and in-situ annealing
Chromik, S1; Stbik, V; Benacka, S; Jergel, Mi2; Jergel, Ma; Falcony, C; Andrade, E3; Cheang Wong, J.C
1Slovak Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Bratislava. Eslovaquia; 2Instituto Politécnico Nacional, Departamento de Física, México, Distrito Federal. México; 3Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 57-60]

359.-
MOCVD GaInP heterojunction bipolar transistor current gain stability
Cabrera, V1; Morales, A; Huerta, R; Mimila, J
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 54-56]

360.-
Obtención y caracterización de TiSi2
Coyotl Mixcoatl, F1; Torres Jacome, A
1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
[Superficies y vacío, México, 2001 Vol. 13 Dic, Pág. 110-113]