Grown of InTe films by close spaced vapor transport
Título del documento: Grown of InTe films by close spaced vapor transport
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252133
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
2
3

4
Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Altamira, Tamaulipas. México
2Universidade de Sao Paulo, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
4Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 13
Paginación: 69-71
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Telurido de indio,
Semiconductores,
Difracción,
Espectroscopía Raman
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Indium telluride,
Semiconductors,
Diffraction,
Raman spectroscopy
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