Highly efficent individually addressable diode lasers at 830 nm grown by solid source molecular beam epitaxy
Título del documento: Highly efficent individually addressable diode lasers at 830 nm grown by solid source molecular beam epitaxy
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252031
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
Instituciones: 1Lasertel Inc, Tucson, Arizona. Estados Unidos de América
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 13
Paginación: 7-9
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Descriptivo
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Optica,
Diodos,
Láser,
Eficiencia
Keyword: Physics and astronomy,
Optics,
Physics,
Diodes,
Laser,
Efficiency
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