| Revue: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404987 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Yu Zhenrui1 Aceves, Mariano1 Carrillo, Jesús2 Flores, Francisco2 |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México |
| Año: | 2003 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 16 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 25-29 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en inglés | In this article, the observation of charge trapping effect of silicon rich oxide (SRO) layer in an Al/SRO/Al on Si structure by lateral electrical stress is reported. The density of trapped charges depends on the deposition and post-treatment conditions of the SRO layer. For the Al/SRO/Al structure grown on n-Si substrates, positive trapped charges were observed. A model is proposed to interpret the experimental results |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Estado sólido, Transporte electrónico, Semiconductores, Dieléctricos, Películas delgadas, Silicio, Nanocristales |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Materials engineering, Solid state, Electronic transport, Semiconductors, Dielectrics, Thin films, Silicon, Nanocrystals |
| Texte intégral: | Texto completo (Ver PDF) |
