Propiedades de transporte en el transistor δ-FET
Título del documento: Propiedades de transporte en el transistor δ-FET
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000370399
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
1
2
3
Instituciones: 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Cuernavaca, Morelos. México
2Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México
3Universidad Autónoma del Carmen, Facultad de Ingeniería, Ciudad del Carmen, Campeche. México
Año:
Periodo: Ene-Feb
Volumen: 60
Número: 1
Paginación: 22-26
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura
Resumen en inglés Electron transport in the δ-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of δ-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-insensitive devices
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Transporte,
Movilidad,
Conductividad,
Transistores,
Microelectrónica
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Transport,
Mobility,
Conductivity,
Transistors,
Microelectronics
Texte intégral: Texto completo (Ver PDF)