Revista: | Revista mexicana de física |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000370399 |
ISSN: | 0035-001X |
Autors: | Oubram, O1 Cisneros Villalobos, L1 Gaggero Sager, Luis Manuel2 Abatal, M3 |
Institucions: | 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Cuernavaca, Morelos. México 2Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México 3Universidad Autónoma del Carmen, Facultad de Ingeniería, Ciudad del Carmen, Campeche. México |
Any: | 2014 |
Període: | Ene-Feb |
Volum: | 60 |
Número: | 1 |
Paginació: | 22-26 |
País: | México |
Idioma: | Inglés |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico, teórico |
Resumen en español | El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura |
Resumen en inglés | Electron transport in the δ-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of δ-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-insensitive devices |
Disciplines | Física y astronomía |
Paraules clau: | Física de materia condensada, Transporte, Movilidad, Conductividad, Transistores, Microelectrónica |
Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Transport, Mobility, Conductivity, Transistors, Microelectronics |
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