Journal: | Revista mexicana de física |
Database: | PERIÓDICA |
System number: | 000370399 |
ISSN: | 0035-001X |
Authors: | Oubram, O1 Cisneros Villalobos, L1 Gaggero Sager, Luis Manuel2 Abatal, M3 |
Institutions: | 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Cuernavaca, Morelos. México 2Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México 3Universidad Autónoma del Carmen, Facultad de Ingeniería, Ciudad del Carmen, Campeche. México |
Year: | 2014 |
Season: | Ene-Feb |
Volumen: | 60 |
Number: | 1 |
Pages: | 22-26 |
Country: | México |
Language: | Inglés |
Document type: | Artículo |
Approach: | Analítico, teórico |
Spanish abstract | El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura |
English abstract | Electron transport in the δ-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of δ-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-insensitive devices |
Disciplines: | Física y astronomía |
Keyword: | Física de materia condensada, Transporte, Movilidad, Conductividad, Transistores, Microelectrónica |
Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Transport, Mobility, Conductivity, Transistors, Microelectronics |
Full text: | Texto completo (Ver PDF) |