One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator



Título del documento: One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000245644
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 52
Número: 2
Paginación: 83-85
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Física,
Fotolitografía,
Transistores,
Oxinitruro de silicio
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Materials engineering,
Physics,
Photolytography,
Transistors,
Silicon oxynitride
Texte intégral: Texto completo (Ver PDF)