One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator



Título del documento: One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000245644
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
Institucions: 1Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo. Brasil
Any:
Període: Feb
Volum: 52
Número: 2
Paginació: 83-85
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplines Ingeniería,
Física y astronomía
Paraules clau: Ingeniería de materiales,
Física,
Fotolitografía,
Transistores,
Oxinitruro de silicio
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Materials engineering,
Physics,
Photolytography,
Transistors,
Silicon oxynitride
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