One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator



Document title: One step a-Si:H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000245644
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
Institutions: 1Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo. Brasil
Year:
Season: Feb
Volumen: 52
Number: 2
Pages: 83-85
Country: México
Language: Inglés
Document type: Artículo
Approach: Experimental, descriptivo
Disciplines: Ingeniería,
Física y astronomía
Keyword: Ingeniería de materiales,
Física,
Fotolitografía,
Transistores,
Oxinitruro de silicio
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Materials engineering,
Physics,
Photolytography,
Transistors,
Silicon oxynitride
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