Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications



Título del documento: Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000245594
ISSN: 0035-001X
Autores: 1


Instituciones: 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 52
Número: 2
Paginación: 45-47
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Física,
Oxido de silicio,
Capacitores,
Resistividad
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Materials engineering,
Physics,
Silica,
Capacitors,
Resistivity
Texte intégral: Texto completo (Ver PDF)