Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications



Título del documento: Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000245594
ISSN: 0035-001X
Autors: 1


Institucions: 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Any:
Període: Feb
Volum: 52
Número: 2
Paginació: 45-47
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplines Ingeniería,
Física y astronomía
Paraules clau: Ingeniería de materiales,
Física,
Oxido de silicio,
Capacitores,
Resistividad
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Materials engineering,
Physics,
Silica,
Capacitors,
Resistivity
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