Investigation of the anisotropic etching process used for semiconductor pressure sensors fabrication
Título del documento: Investigation of the anisotropic etching process used for semiconductor pressure sensors fabrication
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000114787
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Inst Ciencias, Dep Semiconductores, Puebla. México
2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 39
Número: 1
Paginación: 120-127
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física de materia condensada,
Ingeniería de instrumentos,
Semiconductores,
Grabado,
Anisotropía,
Sensores-presion,
Silicio,
Obleas
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Instrumentation engineering,
Semiconductors,
Etching,
Anisotropy,
Pressure sensors,
Silicon,
Wafers
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