Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Título del documento: Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000333489
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
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Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 53
Número: 6
Paginación: 441-446
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Pozos cuánticos,
Arsénico,
Propiedades electrónicas,
Propiedades ópticas
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Quantum wells,
Arsenic,
Electronic properties,
Optical properties
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