Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Título del documento: Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000333489
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
1
1
1
Institucions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Any:
Període: Dic
Volum: 53
Número: 6
Paginació: 441-446
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Disciplines Ingeniería
Paraules clau: Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Pozos cuánticos,
Arsénico,
Propiedades electrónicas,
Propiedades ópticas
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Quantum wells,
Arsenic,
Electronic properties,
Optical properties
Text complet: Texto completo (Ver HTML)