Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Document title: Growth of AlχGa1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000333489
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
1
1
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Institutions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Year:
Season: Dic
Volumen: 53
Number: 6
Pages: 441-446
Country: México
Language: Inglés
Document type: Artículo
Approach: Experimental, aplicado
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Pozos cuánticos,
Arsénico,
Propiedades electrónicas,
Propiedades ópticas
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Quantum wells,
Arsenic,
Electronic properties,
Optical properties
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