Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2



Título del documento: Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2
Revue: Ciencia (Maracaibo)
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000367794
ISSN: 1315-2076
Autores: 1
2
3
3
Instituciones: 1Universidad del Zulia, Departamento de Física, Maracaibo, Zulia. Venezuela
2Universidad de Los Andes, Centro de Estudios de Semiconductores, Mérida. Venezuela
3Universidad de Los Andes, Departamento de Química, Mérida. Venezuela
Año:
Periodo: Ene-Mar
Volumen: 16
Número: 1
Paginación: 55-58
País: Venezuela
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplinas: Química,
Física y astronomía
Palabras clave: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Difracción de rayos X
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
X-ray diffraction
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