Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2



Título del documento: Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2
Revista: Ciencia (Maracaibo)
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000367794
ISSN: 1315-2076
Autors: 1
2
3
3
Institucions: 1Universidad del Zulia, Departamento de Física, Maracaibo, Zulia. Venezuela
2Universidad de Los Andes, Centro de Estudios de Semiconductores, Mérida. Venezuela
3Universidad de Los Andes, Departamento de Química, Mérida. Venezuela
Any:
Període: Ene-Mar
Volum: 16
Número: 1
Paginació: 55-58
País: Venezuela
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplines Química,
Física y astronomía
Paraules clau: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Difracción de rayos X
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
X-ray diffraction
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