Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2



Document title: Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2
Journal: Ciencia (Maracaibo)
Database: PERIÓDICA
System number: 000367794
ISSN: 1315-2076
Authors: 1
2
3
3
Institutions: 1Universidad del Zulia, Departamento de Física, Maracaibo, Zulia. Venezuela
2Universidad de Los Andes, Centro de Estudios de Semiconductores, Mérida. Venezuela
3Universidad de Los Andes, Departamento de Química, Mérida. Venezuela
Year:
Season: Ene-Mar
Volumen: 16
Number: 1
Pages: 55-58
Country: Venezuela
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Química,
Física y astronomía
Keyword: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Difracción de rayos X
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
X-ray diffraction
Full text: Texto completo (Ver HTML)