Phosphorus ion implantation gettering effects in MOS structures
Document title: Phosphorus ion implantation gettering effects in MOS structures
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000117418
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
2
Institutions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Inst Ciencias, Puebla. México
2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Year:
Season: Oct
Volumen: 38
Number: 5
Pages: 836-845
Country: México
Language: Inglés
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física de materia condensada,
Estabilización,
Implantación de iones,
Capacitores,
Fósforo,
MOS
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Gettering,
Ion implantation,
Capacitors,
Phosphorus,
Mos
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