Phosphorus ion implantation gettering effects in MOS structures
Título del documento: Phosphorus ion implantation gettering effects in MOS structures
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000117418
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
2
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Inst Ciencias, Puebla. México
2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Año:
Periodo: Oct
Volumen: 38
Número: 5
Paginación: 836-845
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Estabilización,
Implantación de iones,
Capacitores,
Fósforo,
MOS
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Gettering,
Ion implantation,
Capacitors,
Phosphorus,
Mos
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