| Journal: | Revista brasileira de ensino de fisica |
| Database: | PERIÓDICA |
| System number: | 000315215 |
| ISSN: | 0102-4744 |
| Authors: | Amato, M.A1 |
| Institutions: | 1Universidade de Brasilia, Instituto de Fisica, Brasilia, Distrito Federal. Brasil |
| Year: | 2006 |
| Season: | Abr-Jun |
| Volumen: | 28 |
| Number: | 2 |
| Pages: | 191-194 |
| Country: | Brasil |
| Language: | Inglés |
| Document type: | Artículo |
| Approach: | Analítico, descriptivo |
| English abstract | The temperature dependence of impurity levels in semiconductors is a very interesting problem in the domain of deep levels impurities. Its evidence in experimental results is reported by many authors. However, the interpretation on theoretical basis requires sophisticated models. In this paper we propose a very simple model that allows to extract the relevant parameters from the experiment without needing heavy computation |
| Portuguese abstract | O estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento |
| Disciplines: | Física y astronomía |
| Keyword: | Física de materia condensada, Semiconductores volumétricos, Impurezas, Propiedades térmicas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Bulk semiconductors, Impurities, Thermal properties |
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