| Revista: | Revista brasileira de ensino de fisica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000315215 |
| ISSN: | 0102-4744 |
| Autors: | Amato, M.A1 |
| Institucions: | 1Universidade de Brasilia, Instituto de Fisica, Brasilia, Distrito Federal. Brasil |
| Any: | 2006 |
| Període: | Abr-Jun |
| Volum: | 28 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 191-194 |
| País: | Brasil |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en inglés | The temperature dependence of impurity levels in semiconductors is a very interesting problem in the domain of deep levels impurities. Its evidence in experimental results is reported by many authors. However, the interpretation on theoretical basis requires sophisticated models. In this paper we propose a very simple model that allows to extract the relevant parameters from the experiment without needing heavy computation |
| Resumen en portugués | O estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento |
| Disciplines | Física y astronomía |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Semiconductores volumétricos, Impurezas, Propiedades térmicas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Bulk semiconductors, Impurities, Thermal properties |
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