Journal: | Momento |
Database: | PERIÓDICA |
System number: | 000407367 |
ISSN: | 0121-4470 |
Authors: | Dussan, A1 |
Institutions: | 1Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia |
Year: | 2006 |
Season: | Jun |
Number: | 32 |
Pages: | 15-27 |
Country: | Colombia |
Language: | Español |
Document type: | Artículo |
Approach: | Analítico, descriptivo |
Spanish abstract | En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón) |
English abstract | In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique (TSC) is presented. Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product (mobility of electron × lifetime of the electron) |
Disciplines: | Física y astronomía, Ingeniería |
Keyword: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Semiconductores, Películas delgadas |
Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Semiconductors, Thin films |
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