Análisis del método de TSC para la obtención de la DOS en materiales semiconductores



Document title: Análisis del método de TSC para la obtención de la DOS en materiales semiconductores
Journal: Momento
Database: PERIÓDICA
System number: 000407367
ISSN: 0121-4470
Authors: 1
Institutions: 1Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia
Year:
Season: Jun
Number: 32
Pages: 15-27
Country: Colombia
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Analítico, descriptivo
Spanish abstract En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón)
English abstract In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique (TSC) is presented. Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product (mobility of electron × lifetime of the electron)
Disciplines: Física y astronomía,
Ingeniería
Keyword: Física de materia condensada,
Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Películas delgadas
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Materials engineering,
Semiconductors,
Thin films
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