| Revista: | Momento |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000407367 |
| ISSN: | 0121-4470 |
| Autores: | Dussan, A1 |
| Instituciones: | 1Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia |
| Año: | 2006 |
| Periodo: | Jun |
| Número: | 32 |
| Paginación: | 15-27 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón) |
| Resumen en inglés | In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique (TSC) is presented. Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product (mobility of electron × lifetime of the electron) |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Semiconductores, Películas delgadas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Semiconductors, Thin films |
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