Tunelaje asistido por fotón en semiconductores binarios de gap directo
Document title: Tunelaje asistido por fotón en semiconductores binarios de gap directo
Journal: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Database: PERIÓDICA
System number: 000217167
ISSN: 0258-5944
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Departamento de Física, La Habana. Cuba
Year:
Volumen: 24
Number: 1
Pages: 49-52
Country: Cuba
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Aplicado
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería de materiales,
Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Campo eléctrico,
Tunelaje,
Defectos,
Policristales
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Electric field,
Tunneling,
Defects,
Polycrystals
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