Tunelaje asistido por fotón en semiconductores binarios de gap directo
Título del documento: Tunelaje asistido por fotón en semiconductores binarios de gap directo
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000217167
ISSN: 0258-5944
Autors: 1
Institucions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Departamento de Física, La Habana. Cuba
Any:
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 49-52
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Aplicado
Disciplines Ingeniería
Paraules clau: Ingeniería de materiales,
Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Campo eléctrico,
Tunelaje,
Defectos,
Policristales
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Electric field,
Tunneling,
Defects,
Polycrystals
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