Influencias de la longitud del canal en el comportamiento del voltaje de umbral en transistores canal p
Document title: Influencias de la longitud del canal en el comportamiento del voltaje de umbral en transistores canal p
Journal: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Database: PERIÓDICA
System number: 000051310
ISSN: 0258-5944
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica, La Habana. Cuba
Year:
Season: Mar
Volumen: 2
Number: 1
Pages: 104-110
Country: Cuba
Document type: Artículo
Approach: Teórico
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería electrónica,
Canal p-longitud,
MOS,
Transistores,
Voltaje-umbral
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Channel p-length,
Mos,
Transistors,
Voltage-threshold
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