Influencias de la longitud del canal en el comportamiento del voltaje de umbral en transistores canal p
Título del documento: Influencias de la longitud del canal en el comportamiento del voltaje de umbral en transistores canal p
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000051310
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 2
Número: 1
Paginación: 104-110
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Teórico
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Canal p-longitud,
MOS,
Transistores,
Voltaje-umbral
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Channel p-length,
Mos,
Transistors,
Voltage-threshold
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