Distribucion estadistica del voltaje de umbral de transistores mos canal p
Document title: Distribucion estadistica del voltaje de umbral de transistores mos canal p
Journal: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Database: PERIÓDICA
System number: 000031737
ISSN: 0258-5944
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Electrónica, Cibernética y Comunicaciones, La Habana. Cuba
Year:
Season: Nov
Volumen: 2
Number: 3
Pages: 235-251
Country: Cuba
Document type: Artículo
Approach: Analítico, teórico
Disciplines: Ingeniería,
Matemáticas
Keyword: Ingeniería electrónica,
Matemáticas aplicadas,
Confiabilidad,
Estadística,
MOS,
Transistores,
Voltaje-umbral
Keyword: Engineering,
Mathematics,
Electronic engineering,
Applied mathematics,
Mos,
Reliability,
Statistical distributions,
Transistors,
Voltage-threshold
Document request
Note: The document is shipping cost.









Original documents can be consulted at the Departamento de Información y Servicios Documentales, located in the Annex to the General Directorate of Libraries (DGB), circuito de la Investigación Científica across from the Auditorium Nabor Carrillo, located between the Institutes of Physics and Astronomy. Ciudad Universitaria UNAM. Show map
For more information: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964. E-mail: sinfo@dgb.unam.mx . Monday to Friday from (8 to 16 hrs).