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"Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon
Capaz, R.B1; Assali, L.V.C2; Kimerling, L.C3; Cho, K4; Joannopoulos, J.D5
1Universidade Federal do Rio de Janeiro, Instituto de Física, Rio de Janeiro. Brasil; 2Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil; 3Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, Cambridge, Massachusetts. Estados Unidos de América; 4Stanford University, Mechanical Engineering Department, Stanford, California. Estados Unidos de América; 5Massachusetts Institute of Technology, Department of Physics, Cambridge, Massachusetts. Estados Unidos de América
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 611-615]
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2027.- |
Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces
Alves, H.W. Leite1; Alves, J.L.A; Nogueira, R.A; Leite, J.R
1Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciencias Exatas, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil; 2Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 817-822]
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2028.- |
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2029.- |
Ambipolar carrier diffusion in In0.53Ga0.47As single quantum wells
Monte, A.F.G1; Silva, S.W. da; Cruz, J.M.R; Morais, P.C; Cox, H.M
1Universidade de Brasilia, Instituto de Física, Brasilia, Distrito Federal. Brasil; 2Lucent Technologies, Murray Hill, New Jersey. Estados Unidos de América
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 690-693]
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2030.- |
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2031.- |
A quantum formalism for a terahertz acoustic laser
Camps Rodríguez, Ihosvany1; Makler, Sergio Saul; Anda, Enrique Victoriano
1Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba; 2Universidade Federal Fluminense, Instituto de Física, Niteroi, Rio de Janeiro. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 694-701]
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2032.- |
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2034.- |
Band crossing evidence in PbSnTe observed by optical transmission measurements
Ferreira, S.O1; Abramof, E; Motisuke, P; Rappl, P.H.O; Closs, H; Ueta, A.Y; Boschetti, C; Bandeira, I.N
1Universidade Federal de Vicosa, Departamento de Física, Vicosa, Minas Gerais. Brasil; 2Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 771-774]
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2035.- |
Cyclotron mass of electrons in GaN-AlxGa1-xN heterostructures
Oliveira, Solemar Silva1; Souza, Marcio Adriano R; Borges, Antonio Newton; Osorio, Francisco A. Pinto
1Universidade Federal de Goias, Instituto de Física, Goiania, Goias. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 675-678]
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2036.- |
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2038.- |
Electrochemical characterization on semiconductors p-type CVD diamond electrodes
Ferreira, N.G1; Silva, L.L.G; Corat, E.J; Airoldi, V.J. Trava; Iha, K
1Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; 2Instituto Tecnologico de Aeronautica, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; 3Universidade Sao Francisco, Itatiba, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 760-763]
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2039.- |
Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices
Petitprez, E1; Moshegov, N.T; Marega Junior, E; Basmaji, P. Mazel, A; Dorignac, D; Fourmeaux, R
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 2Centre National de la Recherche Scientifique, Toulouse, Haute-Garonne. Francia
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 738-741]
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2040.- |
Electronic structure in narrow-gap quantum dots
Prado, S.J1; Marques, G.E; Trallero Giner, C
1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 2Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Núm. 4 Dic, Pág. 730-733]
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