Refractive index changes in n-type delta-doped GaAs under hydrostatic pressure



Título del documento: Refractive index changes in n-type delta-doped GaAs under hydrostatic pressure
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000378501
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
2
2
Instituciones: 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería, Cuernavaca, Morelos. México
2Universidad Autónoma de Zacatecas, Unidad Académica de Física, Zacatecas. México
Año:
Periodo: Mar-Abr
Volumen: 60
Número: 2
Paginación: 161-167
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en inglés The effect of hydrostatic pressure on the refractive index changes (RIC) is studied in δ-doped quantum well (DDQW) in GaAs. Based on the effective mass approximation we implement an algebraic formalism to calculate the electronic structure and RIC. Our results obtained with this model show that the position and the magnitude of the linear, nonlinear and total RIC are sensitive to hydrostatic pressure and bidimensional density. The incident optical intensity has a great effect on these optical quantities
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Indice de refracción,
Presión hidrostática,
Pozos cuánticos
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Refractive index,
Hydrostatic pressure,
Quantum wells
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