Ion beam analysis of CH/Si layers deposited by ECR-CVD



Título del documento: Ion beam analysis of CH/Si layers deposited by ECR-CVD
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000337688
ISSN: 0035-001X
Autores: 3
1
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2
4
3
2
Instituciones: 1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Departamento del Acelerador, México, Distrito Federal. México
2Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, México, Distrito Federal. México
3Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Investigaciones en Materiales, México, Distrito Federal. México
4Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Departamento de Física, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 53
Número: 3
Paginación: 52-56
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Resumen en español En este trabajo se estudia las características de las capas de CH depositadas en sustratos de Si por una fuente de plasma de micro ondas del tipo Resonancia Ciclotrónica Electrónica (ECR), usándose diferentes mezclas de H2/CH4. El contenido de hidrógeno y carbono, así como el espesor de las películas se determinó por la dispersión hacia delante de un haz de 12C3+ con una energía de 8.45 MeV, y el bajo contenido de oxígeno en las mismas se determinó usando un haz de deuterio de 1.040 MeV llevando a cabo un análisis de reacciones nucleares (NRA)
Resumen en inglés We present in this study the characteristics of CH layers deposited on Si substrates using an electron cyclotron resonance (ECR) microwave plasma source with different H2/CH4 mixtures. Quantification of the hydrogen and carbon content and the thickness of the films was determined by Forward Elastic Scattering with a 8.45 MeV 12C3+ beam. The oxygen concentration in the films was measure by Nuclear Reaction Analysis (NRA) using a 1.040 MeV deuterium
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física atómica y molecular,
Física nuclear,
Ingeniería de materiales,
Películas delgadas,
Métodos de análisis con haz de acelerador
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Atomic and molecular physics,
Nuclear physics,
Materials engineering,
Plasma enhanced chemical vapor deposition,
Thin films,
IBA methods
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