Indice de refracción del semiconductor TlGaS2 y su dependencia con la presión
Título del documento: Indice de refracción del semiconductor TlGaS2 y su dependencia con la presión
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000215706
ISSN: 0035-001X
Autores: 1


2
Instituciones: 1Universidad de Los Andes, Facultad de Ciencias, Mérida. Venezuela
2Universite Pierre et Marie Curie, Physique des Milieux Condenses, París. Francia
Año:
Periodo: Nov
Volumen: 49
Paginación: 186-188
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Física de materia condensada,
Optica,
Semiconductores,
Propiedades ópticas,
Altas presiones,
Transición de fase,
Indice de refracción
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Optics,
Physics,
Semiconductors,
Optical properties,
High pressures,
Phase transitions,
Refractive index
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