Indice de refracción del semiconductor TlGaS2 y su dependencia con la presión
Document title: Indice de refracción del semiconductor TlGaS2 y su dependencia con la presión
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000215706
ISSN: 0035-001X
Authors: 1


2
Institutions: 1Universidad de Los Andes, Facultad de Ciencias, Mérida. Venezuela
2Universite Pierre et Marie Curie, Physique des Milieux Condenses, París. Francia
Year:
Season: Nov
Volumen: 49
Pages: 186-188
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física,
Física de materia condensada,
Optica,
Semiconductores,
Propiedades ópticas,
Altas presiones,
Transición de fase,
Indice de refracción
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Optics,
Physics,
Semiconductors,
Optical properties,
High pressures,
Phase transitions,
Refractive index
Document request
Note: The document is shipping cost.









Original documents can be consulted at the Departamento de Información y Servicios Documentales, located in the Annex to the General Directorate of Libraries (DGB), circuito de la Investigación Científica across from the Auditorium Nabor Carrillo, located between the Institutes of Physics and Astronomy. Ciudad Universitaria UNAM. Show map
For more information: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964. E-mail: sinfo@dgb.unam.mx . Monday to Friday from (8 to 16 hrs).