Fotoluminiscencia de GAAS1-X PX: influencia de la película protectora Si3N4 en la impurificación con Zn
Título del documento: Fotoluminiscencia de GAAS1-X PX: influencia de la película protectora Si3N4 en la impurificación con Zn
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000098598
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Universidad de La Habana, Laboratorio de Investigaciones en Electrónica del Estado Sólido, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Oct-Dic
Volumen: 36
Número: 4
Paginación: 579-590
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Fotoluminiscencia,
Impurezas,
Radiación
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Photoluminescence,
Impurities,
Radiation
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