Fotoluminiscencia de GAAS1-X PX: influencia de la película protectora Si3N4 en la impurificación con Zn
Document title: Fotoluminiscencia de GAAS1-X PX: influencia de la película protectora Si3N4 en la impurificación con Zn
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000098598
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
Institutions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Universidad de La Habana, Laboratorio de Investigaciones en Electrónica del Estado Sólido, La Habana. Cuba
Year:
Season: Oct-Dic
Volumen: 36
Number: 4
Pages: 579-590
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física de materia condensada,
Fotoluminiscencia,
Impurezas,
Radiación
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Photoluminescence,
Impurities,
Radiation
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