Morphological, electrical and optical properties of Si-doped GaAs grown by MBE on GaAs non-(100)-oriented substrates
Título del documento: Morphological, electrical and optical properties of Si-doped GaAs grown by MBE on GaAs non-(100)-oriented substrates
Revue: Revista ciencias exatas e naturais
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000198991
ISSN: 1518-0352
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Estadual do Centro-Oeste, Departamento de Quimica e Fisica, Guarapuava, Parana. Brasil
2Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Jul-Dic
Volumen: 3
Número: 2
Paginación: 143-156
País: Brasil
Idioma: Portugués
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía,
Química
Palabras clave: Física de materia condensada,
Optica,
Fisicoquímica y química teórica,
Semiconductores,
Arseniuro de galio,
Epitaxia,
Propiedades ópticas,
Efecto Hall
Keyword: Physics and astronomy,
Chemistry,
Condensed matter physics,
Optics,
Physical and theoretical chemistry,
Semiconductors,
Gallium arsenide,
Epitaxy,
Optical properties,
Hall effect
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