Oxido de silicio crecido termicamente usando tricloroetano como fuente de cloro
Título del documento: Oxido de silicio crecido termicamente usando tricloroetano como fuente de cloro
Revue: Memoria Electro - Reunión Académica de Ingeniería Electrónica
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000088744
ISSN: 0185-4607
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Año:
Periodo: Oct
Número: 8
Paginación: 75-79
País: México
Tipo de documento: Reporte técnico
Enfoque: Experimental
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Ingeniería química,
Tecnología,
Circuitos integrados,
Capacitores,
Oxido de silicio,
Tricloroetano,
Oxidación térmica,
MOS
Keyword: Engineering,
Chemical engineering,
Electronic engineering,
Technology,
Integrated circuits,
Capacitors,
Silicon oxide,
Trichloroethylene,
Thermal oxidation,
Mos
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