Revista: | Memoria Electro - Reunión Académica de Ingeniería Electrónica |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000088744 |
ISSN: | 0185-4607 |
Autores: | Torres, A1 Martínez, B Aceves, M Fuentes, I |
Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México |
Año: | 1986 |
Periodo: | Oct |
Número: | 8 |
Paginación: | 75-79 |
País: | México |
Tipo de documento: | Reporte técnico |
Enfoque: | Experimental |
Disciplinas: | Ingeniería |
Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Ingeniería química, Tecnología, Circuitos integrados, Capacitores, Oxido de silicio, Tricloroetano, Oxidación térmica, MOS |
Keyword: | Engineering, Chemical engineering, Electronic engineering, Technology, Integrated circuits, Capacitors, Silicon oxide, Trichloroethylene, Thermal oxidation, Mos |
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