| Revista: | Ciencia en desarrollo |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000396838 |
| ISSN: | 2462-7658 |
| Autores: | Rasero Causil, D.A1 Portacio Lamadrid, A.A2 Rodríguez, J.A3 |
| Instituciones: | 1Universidad Surcolombiana, Departamento de Ciencias Naturales, Neiva, Huila. Colombia 2Universidad de los Llanos, Departamento de Matemáticas y Física, Villavicencio, Meta. Colombia 3Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia |
| Año: | 2016 |
| Periodo: | Ene-Jun |
| Volumen: | 7 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 9-14 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Nota breve o noticia |
| Enfoque: | Experimental |
| Resumen en español | Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn1−xGaxSe2 (x = 0,0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn1−xGaxSe2 es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x < 0,32 y negativo para x > 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se |
| Resumen en inglés | This paper reports some calculations of the electronic properties of CuIn1−xGaxSe2 (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) compound, by using the Tight-Binding (TB) method and Virtual Crystal Approximation (VCA). It is considered the ideal case and with the tetragonal (η) and anionic (μ) distortions. In both cases, the CuIn1−xGaxSe2 is a direct semiconductor at Γ, for all concentrations.It was found that the Crystal Field Splitting (CFS) at the Γ point depends mainly on the tetragonal distortion. The CFS is positive for x < 0,32 and negative for x > 0.32. This behavior is due that when x is increasing, the unit cell shrinks, approaching the pseudo-atom (In,Ga) to the Se atom |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Generadores fotovoltaicos, Semiconductores, Selenuro de cobre-indio, Selenuro de galio, Propiedades electrónicas |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Materials engineering, Photovoltaic generators, Semiconductors, Copper-indium selenide, Gallium selenide, Electronic properties |
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