Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn1−XGaXSe2



Título del documento: Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn1−XGaXSe2
Revista: Ciencia en desarrollo
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000396838
ISSN: 2462-7658
Autores: 1
2
3
Instituciones: 1Universidad Surcolombiana, Departamento de Ciencias Naturales, Neiva, Huila. Colombia
2Universidad de los Llanos, Departamento de Matemáticas y Física, Villavicencio, Meta. Colombia
3Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia
Año:
Periodo: Ene-Jun
Volumen: 7
Número: 1
Paginación: 9-14
País: Colombia
Idioma: Español
Tipo de documento: Nota breve o noticia
Enfoque: Experimental
Resumen en español Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn1−xGaxSe2 (x = 0,0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn1−xGaxSe2 es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x < 0,32 y negativo para x > 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se
Resumen en inglés This paper reports some calculations of the electronic properties of CuIn1−xGaxSe2 (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) compound, by using the Tight-Binding (TB) method and Virtual Crystal Approximation (VCA). It is considered the ideal case and with the tetragonal (η) and anionic (μ) distortions. In both cases, the CuIn1−xGaxSe2 is a direct semiconductor at Γ, for all concentrations.It was found that the Crystal Field Splitting (CFS) at the Γ point depends mainly on the tetragonal distortion. The CFS is positive for x < 0,32 and negative for x > 0.32. This behavior is due that when x is increasing, the unit cell shrinks, approaching the pseudo-atom (In,Ga) to the Se atom
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Ingeniería electrónica,
Generadores fotovoltaicos,
Semiconductores,
Selenuro de cobre-indio,
Selenuro de galio,
Propiedades electrónicas
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Materials engineering,
Photovoltaic generators,
Semiconductors,
Copper-indium selenide,
Gallium selenide,
Electronic properties
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