The role of doping on the ultrafast transport transient in p-GaAs and n-GaAs
Título del documento: The role of doping on the ultrafast transport transient in p-GaAs and n-GaAs
Revue: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134759
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Federal do Ceara, Departamento de Fisica, Fortaleza, Ceara. Brasil
2Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica Teorica e Experimental, Natal, Rio Grande do Norte. Brasil
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 27A
Número: 4
Paginación: 227-230
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Electrones,
Velocidad de arrastre,
Portadores,
Transporte
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Electrons,
Drift velocity,
Carriers,
Transport
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)