2d electron transport in selectively doped gaas / inxga1-xas multiple quantum well structures
Título del documento: 2d electron transport in selectively doped gaas / inxga1-xas multiple quantum well structures
Revue: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000017537
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Moscow Lomonosov State Univ, Low Temperature Physics Dept, Moscú. Rusia
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 26
Número: 1
Paginación: 313-317
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Pozos cuánticos,
Fotoluminiscencia,
Magnetorresistencia,
Transporte de electrones
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Quantum wells,
Semiconductors,
Photoluminescence,
Magnetoresistance,
Electron transport
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)