Modificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxígeno
Título del documento: Modificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxígeno
Revista: Tepexi boletín científico de la escuela superior tepeji del río
Base de datos:
Número de sistema: 000585924
ISSN: 2007-7629
Autores: 1
2
1
1
Instituciones: 1Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV-IPN,
2Escuela Superior de Tepeji, Ingeniería Industrial,
Año:
Volumen: 6
Número: 11
Paginación: 20-24
País: México
Idioma: Español
Resumen en inglés In this work, the study of nanopatterning formation dynamics of surfaces under ion bombardment was carried out. The bombardment was performed on silicon (Si) surfaces at room temperature by using a positive ion beam of diatomic oxygen (O2+). The energy of the ion beam used was 2 keV and the angle of incidence of 45 °. The ion dose was varied in the range between 1.25x1018 ions/cm2 and 7.5 x1018 ions/cm2. The results showed that the regime used causes the formation of nanometric structures with a pyramidal shape. The nanopatterns behaves accordingly to the linear models.
Resumen en español En este trabajo se realizó el estudio de la dinámica de formación de nanopatrones inducida mediante bombardeo iónico. El bombardeo se llevó a cabo sobre superficies de silicio (Si) a temperatura ambiente utilizando un haz de iones positivo de oxigeno diatómico (O2+). La energía del haz de iones utilizado fue de 2 keV y el ángulo de incidencia de 45°. La dosis de iones fue variada en el rango de 1.25x1018 iones/cm2 - 7.5 x1018 iones/cm2. Los resultados muestran que el régimen utilizado provoca la formación de estructuras nanométricas con forma piramidal. El patrón se comporta de acuerdo a los modelos lineales de formación de nano patrones.
Palabras clave: bombardeo iónico,
formación de nanopatrones,
superficies,
bombardeo con iones de oxígeno
Keyword: ion bombardment,
nanopatterning,
surfaces,
oxygen bombardment
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