On metastable properties of plasma treated amorphous Si:H films
Título del documento: On metastable properties of plasma treated amorphous Si:H films
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252044
ISSN: 1665-3521
Autores: 1



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Instituciones: 1Slovak Academy of Sciences, Institute of Physics, Bratislava. Eslovaquia
2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
3Princeton University, Department of Electrical Engineering, Princeton, New Jersey. Estados Unidos de América
4Military Academy, Faculty of Logistics, Liptovsky Mikulas. Eslovaquia
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 13
Paginación: 34-37
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Propiedades estructurales,
Plasma,
Oxidos
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Structural properties,
Plasma,
Oxide
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