Dispersión Raman, XTEM y AFM de películas epitaxiales de GaAs crecidas en ambiente de hidrógeno atómico
Document title: Dispersión Raman, XTEM y AFM de películas epitaxiales de GaAs crecidas en ambiente de hidrógeno atómico
Journal: Superficies y vacío
Database: PERIÓDICA
System number: 000252601
ISSN: 1665-3521
Authors: 1



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4
Institutions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias de la Electrónica, Puebla. México
3Universidad de Valencia, Instituto de Ciencias de los Materiales, Valencia. España
4Universidad de Cádiz, Cádiz. España
Year:
Season: Jul
Volumen: 14
Pages: 1-6
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Experimental, descriptivo
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería de materiales,
Hidrógeno atómico,
Galio,
Arsénico,
Dispersión Raman
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Gallium,
Arsenic,
Atom hydrogen,
Raman scattering
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