Dispersión Raman, XTEM y AFM de películas epitaxiales de GaAs crecidas en ambiente de hidrógeno atómico
Título del documento: Dispersión Raman, XTEM y AFM de películas epitaxiales de GaAs crecidas en ambiente de hidrógeno atómico
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252601
ISSN: 1665-3521
Autores: 1



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4
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias de la Electrónica, Puebla. México
3Universidad de Valencia, Instituto de Ciencias de los Materiales, Valencia. España
4Universidad de Cádiz, Cádiz. España
Año:
Periodo: Jul
Volumen: 14
Paginación: 1-6
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Hidrógeno atómico,
Galio,
Arsénico,
Dispersión Raman
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Gallium,
Arsenic,
Atom hydrogen,
Raman scattering
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