| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000342012 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Chigo Anota, Ernesto1 |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ingeniería Química, Puebla. México |
| Año: | 2011 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 24 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 9-13 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | A través de cálculos de primeros principios basados en la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) a nivel LDA (PWC) se investiga las propiedades electrónicas de la hoja de carburo de estaño (SnC) no dopada y dopada con nitrógeno. Además, se analizó el efecto de las vacancias de estaño y carbono sobre las propiedades electrónicas de este material. Se encontró que la geometría óptima de la hoja de SnC es plana, solo para el caso del modelo no dopado. Además, los cálculos realizados muestran una transición semiconductor (Sn12C12H12)-conductor (Sn12C11NH12)-semimetal (para los demás casos) debido a la incorporación de N en la hoja de, obteniéndose valores de brecha prohibida de 2.07 eV para el modelo no dopado hasta 0.14 eV para cuando existe una vacancia de Ge. Con esto también un fuerte incremento en la polaridad de la hoja se presenta cuando un defecto NC es introducido en la estructura, pasando de iónico a covalente |
| Resumen en inglés | Through first principles calculations based on the Density Functional Theory (DFT) at the level of LDA (PWC) the electronic properties of un-doped and nitrogen doped germanium carbide sheets (GeC) were studied. The effect of structural vacancies on the electronic properties of the proposed models was investigated. It was found that the optimal geometry of the GeC sheet is planar, same is true for the nitrogen un- doped model. In addition, calculations show a transition semiconductor (Sn12C12H12)-conductor (Sn12C11NH12)-semimetal (for others) due to the incorporation of N in the sheet, producing values of band gap of 2.07 eV for the model is not doped up 0.14 eV for when there is a vacancy in Ge. Furthermore, the incorporation of a carbon antisite (NC) leads to a strong increase of polarity, changing form ionic to covalent |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Carburo de estaño, Propiedades electrónicas, Funcional de densidad, Simulación molecular |
| Keyword: | Engineering, Materials engineering, Tin carbide, Electronic properties, Density functional, Molecular simulation |
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