Study of the stress-related vacancy generation in silicon due to silicon nitride films



Document title: Study of the stress-related vacancy generation in silicon due to silicon nitride films
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000154012
ISSN: 0035-001X
Authors: 1

Institutions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Year:
Season: Abr
Volumen: 45
Number: 2
Pages: 156-162
Country: México
Language: Inglés
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Cristalografía,
Nitruro de silicio,
Defecto de vacancia,
Esfuerzo,
Películas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Crystallography,
Silicon nitride,
Vacancy defect,
Stress,
Films
Full text: Texto completo (Ver PDF)