Study of the stress-related vacancy generation in silicon due to silicon nitride films



Título del documento: Study of the stress-related vacancy generation in silicon due to silicon nitride films
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000154012
ISSN: 0035-001X
Autores: 1

Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Año:
Periodo: Abr
Volumen: 45
Número: 2
Paginación: 156-162
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Cristalografía,
Nitruro de silicio,
Defecto de vacancia,
Esfuerzo,
Películas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Crystallography,
Silicon nitride,
Vacancy defect,
Stress,
Films
Texto completo: Texto completo (Ver PDF)